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型号 SI4532DY
厂商 Fairchild Semiconductor
描述 MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
SI4532DY PDF
代理商 SI4532DY
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图 Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装 1
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.9A，3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 3.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 235pF @ 10V
功率 - 最大 900mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 SO-8
包装 标准包装
产品目录页面 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4532DYDKR
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